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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, BGA48,6X8,30 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 85 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 8 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | PSEUDO STATIC RAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.1 mm | 最大待机电流： | 0.000075 A |
| 子类别： | Other Memory ICs | 最大压摆率： | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 7 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY64LD16162M-E | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64LD16162M-I | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64LD16322M | ETC |
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x16|2.5(VDD)2.5(VDDQ)V|85|Pseudo SRAM - 32M |
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| HY64LD16322M-DF85E | HYNIX |
获取价格 |
Pseudo Static RAM, 2MX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 |
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| HY64LD16322M-DF85I | HYNIX |
获取价格 |
Pseudo Static RAM, 2MX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 |
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| HY64SD16162B | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64SD16162B-DF85E | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64SD16162B-DF85I | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64SD16162B-E | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64SD16162B-I | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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