生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TFBGA, BGA48,6X8,30 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 85 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 8 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | PSEUDO STATIC RAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -25 °C | 组织: | 1MX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA48,6X8,30 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 2 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.1 mm |
最大待机电流: | 0.000075 A | 子类别: | Other Memory ICs |
最大压摆率: | 0.02 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2.2 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 6 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY64SD16162B-DF85I | HYNIX |
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1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM | |
HY64SD16162B-E | HYNIX |
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1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM | |
HY64SD16162B-I | HYNIX |
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1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM | |
HY64SD16322B-DF85E | HYNIX |
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Pseudo Static RAM, 2MX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48 | |
HY64UD16162B | HYNIX |
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1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM | |
HY64UD16162B-DF60E | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM | |
HY64UD16162B-DF60EP | HYNIX |
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DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PBGA48 | |
HY64UD16162B-DF60I | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM | |
HY64UD16162B-DF60IP | HYNIX |
获取价格 |
DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PBGA48 | |
HY64UD16162B-DF70E | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |