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HY64SD16162B-DF85E

更新时间: 2024-09-23 03:02:19
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海力士 - HYNIX 静态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 279K
描述
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM

HY64SD16162B-DF85E 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA, BGA48,6X8,30针数:48
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:85 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B48JESD-609代码:e1
长度:8 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:PSEUDO STATIC RAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:48
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:1MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA48,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:2 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.1 mm
最大待机电流:0.000075 A子类别:Other Memory ICs
最大压摆率:0.02 mA最大供电电压 (Vsup):2.2 V
最小供电电压 (Vsup):1.8 V标称供电电压 (Vsup):2 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:BALL端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM宽度:6 mm
Base Number Matches:1

HY64SD16162B-DF85E 数据手册

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HY64SD16162B Series  
Document Title  
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM  
Revision history  
Revision No. History  
Draft Date Remark  
1.0  
Initial  
Dec. 4. ’02  
Preliminary  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor Inc. does not  
assume any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Revision 1.0 / December. 2002  
1

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