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HUF75623S3S

更新时间： 2024-11-30 21:13:47
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 164K
描述
22A, 100V, 0.064ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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HUF75623S3S 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.69外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.064 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

HUF75623S3S 数据手册

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HUF75623P3, HUF75623S3ST  
TM  
Data Sheet  
August 2000  
File Number 4804.1  
22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel,  
UltraFET Power MOSFETs  
®
Packaging  
JEDEC TO-220AB  
JEDEC TO-263AB  
Features  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN  
(FLANGE)  
• Ultra Low On-Resistance  
- r = 0.064Ω, VGS = 10V  
DS(ON)  
• Simulation Models  
®
™
- Temperature Compensated PSPICE and SABER  
Electrical Models  
GATE  
SOURCE  
DRAIN  
(FLANGE)  
©
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
- www.intersil.com  
HUF75623P3  
HUF75623S3ST  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
Symbol  
D
S
Ordering Information  
PART NUMBER  
PACKAGE  
TO-220AB  
TO-263AB  
BRAND  
75623P  
75623S  
G
HUF75623P3  
HUF75623S3ST  
NOTE: When ordering, use the entire part number i.e., HUF75623P3  
o
Absolute Maximum Ratings T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HUF75623P3, HUF75623S3ST  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
100  
100  
±20  
V
V
V
DSS  
Drain to Gate Voltage (R  
GS  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
DGR  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
22  
15  
A
A
C
GS  
D
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
GS  
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .UIS  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
Figures 6, 14, 15  
85  
0.57  
W
W/ C  
D
o
o
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTE:  
1. T = 25 C to 150 C.  
o
o
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge. Follow proper ESD Handling Procedures.  
UltraFET® is a registered trademark of Intersil Corporation. PSPICE® is a registered trademark of MicroSim Corporation.  
SABER™ is a trademark of Analogy, Inc.  
1
1-888-INTERSIL or 321-724-7143 | Intersil and Design is a trademark of Intersil Corporation. | Copyright © Intersil Corporation 2000  
1234567...11

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与HUF75623S3S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HUF75623S3ST FAIRCHILD

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 		22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75623S3ST RENESAS

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 		22A, 100V, 0.064ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
HUF75631P3 FAIRCHILD

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 		33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75631P3 INTERSIL

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 		33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75631P3_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
HUF75631S3S ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-263AB
HUF75631S3ST FAIRCHILD

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 		33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
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 		100 V、33 A、40 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET
HUF75631SK8 INTERSIL

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 		5.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75631SK8 FAIRCHILD

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