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HN58C256AP-10

更新时间： 2024-02-09 21:34:36

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日立 - HITACHI		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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256k EEPROM (32-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A)

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HN58C256AP-10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.6	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.66
最长访问时间：	100 ns	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	长度：	35.6 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	页面大小：	64 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.7 mm
最大待机电流：	0.00002 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
宽度：	15.24 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

HN58C256AP-10 数据手册

HN58C256A Series, HN58C257A Series

AC Characteristics (Ta = 0 to +70°C, V_CC= 5 V±10%)

Test Conditions

•

Input pulse levels: 0.4 V to 3.0 V

0 V to V_CC(RES pin*²)

•

Input rise and fall time: ≤ 5 ns

Input timing reference levels: 0.8, 2.0 V

Output load: 1TTL Gate +100 pF

Output reference levels: 1.5 V, 1.5 V

Read Cycle

HN58C256A/HN58C257A

-85

-10

Min

—

Parameter

Symbol Min

Max

Unit Test conditions

Address to output delay

t_ACC

—

100

CE = OE = V_IL,

WE = V_IH

CE to output delay

OE to output delay

Address to output hold

t_CE

t_OE

t_OH

—

100

OE = V_IL, WE = V_IH

CE = V_IL, WE = V_IH

—

CE = OE = V_IL,

WE = V_IH

OE (CE) high to output float*¹t_DF

CE = V_IL, WE = V_IH

RES low to output float*^{1, 2}

t_DFR

350

CE = OE = V_IL,

WE = V_IH

RES to output delay*²

t_RR

450

CE = OE = V_IL,

WE = V_IH

1...3 4 567 8 9...25

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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