Datasheet > 存储 > DRAM> HM5225405BLTT-B6

HM5225405BLTT-B6

更新时间： 2024-10-26 22:20:11

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路光电二极管动态存储器 PC 时钟
页数	文件大小	规格书
63页	454K
描述
256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HM5225405BLTT-B6 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.82
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.22 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HM5225405BLTT-B6 数据手册

HM5225165B-75/A6/B6

HM5225805B-75/A6/B6

HM5225405B-75/A6/B6

256M LVTTL interface SDRAM

133 MHz/100 MHz

4-Mword × 16-bit × 4-bank/8-Mword × 8-bit × 4-bank

/16-Mword × 4-bit × 4-bank

PC/133, PC/100 SDRAM

E0082H10 (1st edition)

(Previous ADE-203-1073B (Z))

Jan. 31, 2001

Description

The HM5225165B is a 256-Mbit SDRAM organized as 4194304-word × 16-bit × 4 bank. The HM5225805B

is a 256-Mbit SDRAM organized as 8388608-word × 8-bit × 4 bank. The HM5225405B is a 256-Mbit

SDRAM organized as 16777216-word × 4-bit × 4 bank. All inputs and outputs are referred to the rising edge

of the clock input. It is packaged in standard 54-pin plastic TSOP II.

Features

•

3.3 V power supply

Clock frequency: 133 MHz/100 MHz (max)

LVTTL interface

Single pulsed RAS

4 banks can operate simultaneously and independently

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

Programmable burst length: 1/2/4/8

2 variations of burst sequence

Sequential (BL = 1/2/4/8)

Interleave (BL = 1/2/4/8)

•

Programmable CAS latency: 2/3

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

12 3 4 5 6 7...63

中文翻译

下载PDF

与HM5225405BLTT-B6相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM5225405BTT-75	ELPIDA	获取价格	256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-
HM5225405BTT-75	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 64MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM5225405BTT-A6	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 64MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM5225405BTT-A6	ELPIDA	获取价格	256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-
HM5225405BTT-B6	ELPIDA	获取价格	256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-
HM5225405BTT-B6	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 64MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM5225645F	HITACHI	获取价格	256M LVTTL interface SDRAM 100 MHz 1-Mword x 64-bit x 4-bank/2-Mword x 32-bit x 4-bank PC/
HM5225645F-B60	HITACHI	获取价格	256M LVTTL interface SDRAM 100 MHz 1-Mword x 64-bit x 4-bank/2-Mword x 32-bit x 4-bank PC/
HM5225645FBP-B60	RENESAS	获取价格	4MX64 SYNCHRONOUS DRAM, 6ns, PBGA108, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BUMP, BGA-108
HM5225805ATT-10	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 8ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54

与HM5225405BLTT-B6相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

10
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

10
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

37
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HM5225405BLTT-B6

HM5225405BLTT-B6 技术参数

HM5225405BLTT-B6 数据手册

与HM5225405BLTT-B6相关器件

与HM5225405BLTT-B6相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HM5225405BLTT-B6

HM5225405BLTT-B6 技术参数

HM5225405BLTT-B6 数据手册

与HM5225405BLTT-B6相关器件

与HM5225405BLTT-B6相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？