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HM5225645FBP-B60

更新时间： 2024-10-27 20:59:51

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	144K
描述
4MX64 SYNCHRONOUS DRAM, 6ns, PBGA108, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BUMP, BGA-108

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HM5225645FBP-B60 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	108
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.62
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B108
JESD-609代码：	e1	长度：	22 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	108
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX64
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.1 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

HM5225645FBP-B60 数据手册

HM5225645F-B60

HM5225325F-B60

256M LVTTL interface SDRAM

100 MHz

1-Mword × 64-bit × 4-bank/2-Mword × 32-bit × 4-bank

PC/100 SDRAM

ADE-203-1014C (Z)

Rev. 1.0

Oct. 1, 1999

Description

The Hitachi HM5225645F is a 256-Mbit SDRAM organized as 1048576-word × 64-bit × 4-bank. The Hitachi

HM5225325F is a 256-Mbit SDRAM organized as 2097152-word × 32-bit × 4-bank. All inputs and outputs

are referred to the rising edge of the clock input. It is packaged in standard 108 bump BGA.

Features

•

Single chip wide bit solution (× 64/× 32)

3.3 V power supply

Clock frequency: 100 MHz (max)

LVTTL interface

Extremely small foot print: 1.27 mm pitch

Package: BGA (BP-108)

•

4 banks can operate simultaneously and independently

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

Programmable burst length: 4/8/full page

2 variations of burst sequence

Sequential (BL = 4/8/full page)

Interleave (BL = 4/8)

•

Programmable CAS latency: 2/3

Byte control by DQMB

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM5225805ATT-10	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 8ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM5225805B-75	ELPIDA	获取价格	256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-
HM5225805B-A6	ELPIDA	获取价格	256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-
HM5225805B-B6	ELPIDA	获取价格	256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-
HM5225805BLTT-75	ELPIDA	获取价格	256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-
HM5225805BLTT-A6	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM5225805BLTT-A6	ELPIDA	获取价格	256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-
HM5225805BLTT-B6	ELPIDA	获取价格	256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-
HM5225805BTT-75	ELPIDA	获取价格	256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-
HM5225805BTT-75	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54

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