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HM5225805BTT-75

更新时间： 2024-10-26 22:27:59

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		动态存储器 PC
页数	文件大小	规格书
63页	454K
描述
256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM

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HM5225805BTT-75 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.69
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.22 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm

HM5225805BTT-75 数据手册

HM5225165B-75/A6/B6

HM5225805B-75/A6/B6

HM5225405B-75/A6/B6

256M LVTTL interface SDRAM

133 MHz/100 MHz

4-Mword × 16-bit × 4-bank/8-Mword × 8-bit × 4-bank

/16-Mword × 4-bit × 4-bank

PC/133, PC/100 SDRAM

E0082H10 (1st edition)

(Previous ADE-203-1073B (Z))

Jan. 31, 2001

Description

The HM5225165B is a 256-Mbit SDRAM organized as 4194304-word × 16-bit × 4 bank. The HM5225805B

is a 256-Mbit SDRAM organized as 8388608-word × 8-bit × 4 bank. The HM5225405B is a 256-Mbit

SDRAM organized as 16777216-word × 4-bit × 4 bank. All inputs and outputs are referred to the rising edge

of the clock input. It is packaged in standard 54-pin plastic TSOP II.

Features

•

3.3 V power supply

Clock frequency: 133 MHz/100 MHz (max)

LVTTL interface

Single pulsed RAS

4 banks can operate simultaneously and independently

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

Programmable burst length: 1/2/4/8

2 variations of burst sequence

Sequential (BL = 1/2/4/8)

Interleave (BL = 1/2/4/8)

•

Programmable CAS latency: 2/3

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

12 3 4 5 6 7...63

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与HM5225805BTT-75相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM5225805BTT-A6	ELPIDA	获取价格	256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-
HM5225805BTT-A6	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM5225805BTT-B6	ELPIDA	获取价格	256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-
HM5225805BTT-B6	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM-523841-1.5-8A	MACOM	获取价格	Label format - Old format order code cross reference
HM5241605	ETC	获取价格	Series 131 072-Word x 16-Bit x 2-Bank Synchronous Dynamic RAM
HM5241605C	ETC	获取价格	Series 4M LVTTL Interface SDRAM (128-kword x 16-bit) 83 MHz/80MHz/66
HM5241605CJ-12	ETC	获取价格	x16 SDRAM
HM5241605CJ-15	ETC	获取价格	x16 SDRAM
HM5241605CJ-17	ETC	获取价格	x16 SDRAM

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