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HM5225805BTT-A6

更新时间： 2024-10-26 22:27:59

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		动态存储器 PC
页数	文件大小	规格书
63页	454K
描述
256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM

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HM5225805BTT-A6 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.46
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.22 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HM5225805BTT-A6 数据手册

HM5225165B-75/A6/B6

HM5225805B-75/A6/B6

HM5225405B-75/A6/B6

256M LVTTL interface SDRAM

133 MHz/100 MHz

4-Mword × 16-bit × 4-bank/8-Mword × 8-bit × 4-bank

/16-Mword × 4-bit × 4-bank

PC/133, PC/100 SDRAM

E0082H10 (1st edition)

(Previous ADE-203-1073B (Z))

Jan. 31, 2001

Description

The HM5225165B is a 256-Mbit SDRAM organized as 4194304-word × 16-bit × 4 bank. The HM5225805B

is a 256-Mbit SDRAM organized as 8388608-word × 8-bit × 4 bank. The HM5225405B is a 256-Mbit

SDRAM organized as 16777216-word × 4-bit × 4 bank. All inputs and outputs are referred to the rising edge

of the clock input. It is packaged in standard 54-pin plastic TSOP II.

Features

•

3.3 V power supply

Clock frequency: 133 MHz/100 MHz (max)

LVTTL interface

Single pulsed RAS

4 banks can operate simultaneously and independently

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

Programmable burst length: 1/2/4/8

2 variations of burst sequence

Sequential (BL = 1/2/4/8)

Interleave (BL = 1/2/4/8)

•

Programmable CAS latency: 2/3

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

12 3 4 5 6 7...63

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM5225805BTT-B6	ELPIDA	获取价格	256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-
HM5225805BTT-B6	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM-523841-1.5-8A	MACOM	获取价格	Label format - Old format order code cross reference
HM5241605	ETC	获取价格	Series 131 072-Word x 16-Bit x 2-Bank Synchronous Dynamic RAM
HM5241605C	ETC	获取价格	Series 4M LVTTL Interface SDRAM (128-kword x 16-bit) 83 MHz/80MHz/66
HM5241605CJ-12	ETC	获取价格	x16 SDRAM
HM5241605CJ-15	ETC	获取价格	x16 SDRAM
HM5241605CJ-17	ETC	获取价格	x16 SDRAM
HM5241605CTT-12	ETC	获取价格	x16 SDRAM
HM5241605CTT-15	ETC	获取价格	x16 SDRAM

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