是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSOP54,.46,32 | 针数: | 54 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.24 | 风险等级: | 5.46 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 6 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G54 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 22.22 mm |
内存密度: | 268435456 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 54 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64MX4 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSOP54,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8 | 最大待机电流: | 0.002 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.22 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HM5225645F | HITACHI |
获取价格 |
256M LVTTL interface SDRAM 100 MHz 1-Mword x 64-bit x 4-bank/2-Mword x 32-bit x 4-bank PC/ | |
HM5225645F-B60 | HITACHI |
获取价格 |
256M LVTTL interface SDRAM 100 MHz 1-Mword x 64-bit x 4-bank/2-Mword x 32-bit x 4-bank PC/ | |
HM5225645FBP-B60 | RENESAS |
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4MX64 SYNCHRONOUS DRAM, 6ns, PBGA108, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BUMP, BGA-108 | |
HM5225805ATT-10 | HITACHI |
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Synchronous DRAM, 32MX8, 8ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 | |
HM5225805B-75 | ELPIDA |
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256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4- | |
HM5225805B-A6 | ELPIDA |
获取价格 |
256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4- | |
HM5225805B-B6 | ELPIDA |
获取价格 |
256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4- | |
HM5225805BLTT-75 | ELPIDA |
获取价格 |
256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4- | |
HM5225805BLTT-A6 | HITACHI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 | |
HM5225805BLTT-A6 | ELPIDA |
获取价格 |
256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4- |