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HFA200FA120P

更新时间： 2024-11-05 10:47:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管测试局域网超快速软恢复大功率电源高功率电源快速软恢复高电源超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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8页 128K
描述
HEXFRED Ultrafast Soft Recovery Diode, 200 A

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HFA200FA120P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-XUFM-X4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.6
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY HIGH POWER外壳连接：ISOLATED
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：2.9 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X4最大非重复峰值正向电流：900 A
元件数量：2相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：100 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：416 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向电流：75 µA
最大反向恢复时间：0.15 µs反向测试电压：1200 V
子类别：Other Diodes表面贴装：NO
端子面层：Nickel (Ni)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

HFA200FA120P 数据手册

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HFA200FA120P  
Vishay Semiconductors  
HEXFRED®  
Ultrafast Soft Recovery Diode, 200 A  
FEATURES  
• Fast recovery time characteristic  
• Electrically isolated base plate  
• Large creepage distance between terminal  
• Simplified mechanical designs, rapid assembly  
• UL approved file E78996  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
SOT-227  
• Designed and qualified for industrial level  
DESCRIPTION/APPLICATIONS  
The dual diode series configuration (HFA200FA120P) is  
used for output rectification or freewheeling/clamping  
operation and high voltage application.  
The semiconductor in the SOT-227 package is isolated from  
the copper base plate, allowing for common heatsinks and  
compact assemblies to be built.  
These modules are intended for general applications such  
as HV power supplies, electronic welders, motor control and  
inverters.  
PRODUCT SUMMARY  
VR  
1200 V  
2.7 V  
VF (typical)  
trr (typical)  
IF(DC) at TC  
150 ns  
100 A at 69 °C  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
TEST CONDITIONS  
MAX.  
1200  
100  
UNITS  
Cathode to anode voltage  
V
Continuous forward current  
Single pulse forward current  
Maximum repetitive forward current  
IF  
TC = 69 °C  
TJ = 25 °C  
IFSM  
IFRM  
900  
A
Rated VR, square wave, 20 kHz, TC = 60 °C  
TC = 25 °C  
150  
416  
Maximum power dissipation  
RMS isolation voltage  
PD  
W
T
C = 100 °C  
166  
VISOL  
Any terminal to case, t = 1 minute  
2500  
V
Operating junction and storage  
temperature range  
TJ, TStg  
- 55 to + 150  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Cathode to anode  
breakdown voltage  
VBR  
IR = 100 μA  
1200  
-
-
IF = 100 A  
-
-
-
-
-
2.68  
3.37  
2.7  
10  
3.6  
4.7  
2.9  
75  
-
V
Forward voltage  
VFM  
IF = 200 A  
IF = 100 A, TJ = 150 °C  
VR = VR rated  
μA  
Reverse leakage current  
IRM  
TJ = 125 °C, VR = VR rated  
2
mA  
Document Number: 94607  
Revision: 22-Jul-10  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
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