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HFA210NJ60CPBF

更新时间： 2024-11-29 05:35:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管局域网超快软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
7页 143K
描述
HEXFRED® Ultrafast Soft Recovery Diode, 210 A

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HFA210NJ60CPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：R-PUFM-X2Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.46
Is Samacsys：N应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-244ABJESD-30 代码：R-PUFM-X2
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：210 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大反向恢复时间：0.14 µs
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

HFA210NJ60CPBF 数据手册

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HFA210NJ60CPbF  
Vishay High Power Products  
HEXFRED®  
Ultrafast Soft Recovery Diode, 210 A  
FEATURES  
• Very low Qrr and trr  
Lug  
terminal  
anode 1  
Lug  
terminal  
anode 2  
• Lead (Pb)-free  
RoHS  
• Designed and qualified for industrial level  
COMPLIANT  
BENEFITS  
• Reduced RFI and EMI  
• Reduced snubbing  
Base common  
cathode  
DESCRIPTION  
TO-244  
HEXFRED® diodes are optimized to reduce losses and  
EMI/RFI in high frequency power conditioning systems. An  
extensive characterization of the recovery behavior for  
different values of current, temperature and dI/dt simplifies  
the calculations of losses in the operating conditions.  
The softness of the recovery eliminates the need for a  
snubber in most applications. These devices are ideally  
suited for power converters, motors drives and other  
applications where switching losses are significant portion of  
the total losses.  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
VR  
F(DC) at TC  
210 A  
600 V  
I
120 A at 100 °C  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MAX.  
600  
235  
120  
600  
2.2  
UNITS  
Cathode to anode voltage  
VR  
V
TC = 25 °C  
Continuous forward current  
IF  
TC = 100 °C  
A
Single pulse forward current  
IFSM  
EAS  
Limited by junction temperature  
L = 100 µH, duty cycle limited by maximum TJ  
TC = 25 °C  
Non-repetitive avalanche energy  
mJ  
W
463  
185  
Maximum power dissipation  
PD  
TC = 100 °C  
Operating junction and storage  
temperature range  
TJ, TStg  
- 55 to + 150  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS PER LEG (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Cathode to anode  
breakdown voltage  
VBR  
IR = 100 µA  
600  
-
-
IF = 105 A  
IF = 210 A  
-
-
-
-
-
-
1.38  
1.6  
1.9  
2.25  
1.56  
6.0  
300  
-
V
Maximum forward voltage  
VFM  
See fig. 1  
IF = 105 A, TJ = 125 °C  
TJ = 125 °C, VR = 480 V  
VR = 200 V  
1.3  
Maximum reverse leakage current  
Junction capacitance  
IRM  
CT  
LS  
See fig. 2  
See fig. 3  
1.8  
mA  
pF  
200  
6.0  
Series inductance  
From top of terminal hole to mounting plane  
nH  
Document Number: 94062  
Revision: 01-Aug-08  
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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