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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 300 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HD1A4M | NEC |
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on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| HD1A4M | RENESAS |
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暂无描述 |
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| HD1A4M-AZ | RENESAS |
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on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| HD1A4M-T1-AY | RENESAS |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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| HD1A4M-T1-AZ | RENESAS |
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on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| HD1A4M-T2 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL |
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| HD1A4M-T2-AY | RENESAS |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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| HD1A4M-T2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| HD1E-M-DC1.5V | PANASONIC |
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ldeal for portable devices Only 1.7g sealed construction |
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| HD1E-M-DC12V | PANASONIC |
获取价格 |
ldeal for portable devices Only 1.7g sealed construction |
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