生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.5 | Is Samacsys: | N |
主体宽度: | 7.4 mm | 主体高度: | 8.3 mm |
主体长度或直径: | 12 mm | 线圈工作电压(直流): | 7.2 V |
线圈功率: | 280 mW | 线圈释放电压(直流): | 0.9 V |
线圈电阻: | 270 Ω | 最大线圈电压(直流): | 9.9 V |
标称线圈电压: | 9 V | 线圈/输入电源类型: | DC |
触点(交流)最大额定功率R负载: | 50VA@125VAC | 触点(交流)最大额定R负载: | 1A@125VAC |
最大触点电流(交流): | 1 A | 最大触点电流(直流): | 1 A |
触点(直流)最大额定功率R负载: | 30W@60VDC | 触点(直流)最大额定R负载: | 1A@30VDC |
触点电阻: | 100 m Ω | 最大触点电压(交流): | 125 V |
最大触点电压(直流): | 30 V | 触点/输出电源类型: | AC/DC |
线圈与触点之间的介电强度: | 500 Vrms | 断开触点之间的介电强度: | 500 Vrms |
电气寿命: | 100000 Cycle(s) | 输入切换控制类型: | Random |
绝缘电阻: | 100000000 Ω | 端子数量: | 6 |
工作时间: | 10 ms | 最高工作温度: | 60 °C |
最低工作温度: | -25 °C | PCB 孔数: | 6 |
物理尺寸: | 12mm x 7.4mm x 8.3mm | 参考标准: | CSA; UL |
继电器动作: | LATCHED | 继电器样式: | 1 FORM C |
继电器功能: | SPDT | 释放时间: | 5 ms |
端子长度: | 0.004 inch | 端接类型: | SOLDER |
重量: | 1.7 g | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HD1F2Q | NEC |
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on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching | |
HD1F2Q | RENESAS |
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1A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN | |
HD1F2Q-AY | RENESAS |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 | |
HD1F2Q-AZ | NEC |
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暂无描述 | |
HD1F2Q-AZ | RENESAS |
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1A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | |
HD1F2Q-T1-AZ | RENESAS |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 | |
HD1F2Q-T2-AZ | RENESAS |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 | |
HD1F3P | NEC |
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on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching | |
HD1F3P | RENESAS |
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1A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN | |
HD1F3P-AY | RENESAS |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |