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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.5 | Is Samacsys： | N |
| 主体宽度： | 7.4 mm | 主体高度： | 8.3 mm |
| 主体长度或直径： | 12 mm | 线圈工作电压（直流）： | 7.2 V |
| 线圈功率： | 280 mW | 线圈释放电压（直流）： | 0.9 V |
| 线圈电阻： | 270 Ω | 最大线圈电压（直流）： | 9.9 V |
| 标称线圈电压： | 9 V | 线圈/输入电源类型： | DC |
| 触点（交流）最大额定功率R负载： | 50VA@125VAC | 触点（交流）最大额定R负载： | 1A@125VAC |
| 最大触点电流（交流）： | 1 A | 最大触点电流（直流）： | 1 A |
| 触点（直流）最大额定功率R负载： | 30W@60VDC | 触点（直流）最大额定R负载： | 1A@30VDC |
| 触点电阻： | 100 m Ω | 最大触点电压（交流）： | 125 V |
| 最大触点电压（直流）： | 30 V | 触点/输出电源类型： | AC/DC |
| 线圈与触点之间的介电强度： | 500 Vrms | 断开触点之间的介电强度： | 500 Vrms |
| 电气寿命： | 100000 Cycle(s) | 输入切换控制类型： | Random |
| 绝缘电阻： | 100000000 Ω | 端子数量： | 6 |
| 工作时间： | 10 ms | 最高工作温度： | 60 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | PCB 孔数： | 6 |
| 物理尺寸： | 12mm x 7.4mm x 8.3mm | 参考标准： | CSA; UL |
| 继电器动作： | LATCHED | 继电器样式： | 1 FORM C |
| 继电器功能： | SPDT | 释放时间： | 5 ms |
| 端子长度： | 0.004 inch | 端接类型： | SOLDER |
| 重量： | 1.7 g | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HD1F2Q | NEC |
获取价格 |
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| HD1F2Q | RENESAS |
获取价格 |
1A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN |
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| HD1F2Q-AY | RENESAS |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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| HD1F2Q-AZ | NEC |
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暂无描述 |
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| HD1F2Q-AZ | RENESAS |
获取价格 |
1A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| HD1F2Q-T1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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| HD1F2Q-T2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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| HD1F3P | NEC |
获取价格 |
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| HD1F3P | RENESAS |
获取价格 |
1A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN |
|
| HD1F3P-AY | RENESAS |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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