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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HD1A4M-T2-AY | RENESAS |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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| HD1A4M-T2-AZ | RENESAS |
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on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| HD1E-M-DC1.5V | PANASONIC |
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ldeal for portable devices Only 1.7g sealed construction |
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| HD1E-M-DC12V | PANASONIC |
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ldeal for portable devices Only 1.7g sealed construction |
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| HD1E-M-DC24V | PANASONIC |
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ldeal for portable devices Only 1.7g sealed construction |
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| HD1E-M-DC3V | PANASONIC |
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| HD1E-M-DC5V | PANASONIC |
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| HD1E-M-DC6V | PANASONIC |
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| HD1E-M-DC9V | PANASONIC |
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| HD1F2Q | NEC |
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on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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