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HD1F2Q-AZ PDF预览

HD1F2Q-AZ

更新时间： 2024-11-28 19:39:35
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
6页 112K
描述
1A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

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HD1F2Q-AZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

HD1F2Q-AZ 数据手册

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DATA SHEET  
COMPOUND TRANSISTOR  
HD1 SERIES  
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor  
For mid-speed switching  
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)  
FEATURES  
•
•
•
High current drives such as IC outputs and actuators available  
On-chip bias resistor  
Low power consumption during drive  
HD1 SERIES LISTS  
Products  
HD1A3M  
HD1F3P  
HD1L3N  
HD1A4M  
HD1L2Q  
HD1F2Q  
HD1A4A  
Marking  
LP  
R1 (KΩ)  
1.0  
R2 (KΩ)  
1.0  
10  
LQ  
2.2  
LR  
4.7  
10  
LS  
10  
10  
LT  
0.47  
0.22  
−
4.7  
2.2  
10  
LU  
LX  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current (DC)  
Collector current (Pulse)  
Base current (DC)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC(DC)  
IC(pulse) *  
IB(DC)  
PT **  
Tj  
Ratings  
Unit  
V
80  
60  
V
10  
V
1.0  
A
2.0  
A
0.02  
2.0  
A
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
W
°C  
°C  
150  
Tstg  
−55 to +150  
* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50 %  
** When 0.7 mm × 16 cm2 ceramic board is used  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No. D16182EJ2V0DS00 (2nd edition)  
Date Published April 2002 N CP(K)  
Printed in Japan  
2002  
©
123456

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与HD1F2Q-AZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HD1F2Q-T1-AZ RENESAS

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89
HD1F2Q-T2-AZ RENESAS

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89
HD1F3P NEC

获取价格

 		on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching
HD1F3P RENESAS

获取价格

 		1A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN
HD1F3P-AY RENESAS

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89
HD1F3P-AZ NEC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
HD1F3P-AZ RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
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 		1000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN
HD1F3P-T1-AY RENESAS

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89
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