5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > HD1F2Q-AZ
HD1F2Q-AZ PDF预览

HD1F2Q-AZ

更新时间： 2024-11-10 19:39:35
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
6页 112K
描述
1A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

HD1F2Q-AZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

HD1F2Q-AZ 数据手册

 浏览型号HD1F2Q-AZ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HD1F2Q-AZ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HD1F2Q-AZ的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HD1F2Q-AZ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HD1F2Q-AZ的Datasheet PDF文件第6页 
DATA SHEET  
COMPOUND TRANSISTOR  
HD1 SERIES  
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor  
For mid-speed switching  
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)  
FEATURES  
•
•
•
High current drives such as IC outputs and actuators available  
On-chip bias resistor  
Low power consumption during drive  
HD1 SERIES LISTS  
Products  
HD1A3M  
HD1F3P  
HD1L3N  
HD1A4M  
HD1L2Q  
HD1F2Q  
HD1A4A  
Marking  
LP  
R1 (KΩ)  
1.0  
R2 (KΩ)  
1.0  
10  
LQ  
2.2  
LR  
4.7  
10  
LS  
10  
10  
LT  
0.47  
0.22  
−
4.7  
2.2  
10  
LU  
LX  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current (DC)  
Collector current (Pulse)  
Base current (DC)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC(DC)  
IC(pulse) *  
IB(DC)  
PT **  
Tj  
Ratings  
Unit  
V
80  
60  
V
10  
V
1.0  
A
2.0  
A
0.02  
2.0  
A
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
W
°C  
°C  
150  
Tstg  
−55 to +150  
* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50 %  
** When 0.7 mm × 16 cm2 ceramic board is used  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No. D16182EJ2V0DS00 (2nd edition)  
Date Published April 2002 N CP(K)  
Printed in Japan  
2002  
©
123456

中文翻译

下载PDF

与HD1F2Q-AZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HD1F2Q-T1-AZ RENESAS

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89
HD1F2Q-T2-AZ RENESAS

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89
HD1F3P NEC

获取价格

 		on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching
HD1F3P RENESAS

获取价格

 		1A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN
HD1F3P-AY RENESAS

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89
HD1F3P-AZ NEC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
HD1F3P-AZ RENESAS

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
HD1F3P-T1 NEC

获取价格

 		1000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN
HD1F3P-T1-AY RENESAS

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89
HD1F3P-T1-AZ RENESAS

获取价格

 		on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching

与HD1F2Q-AZ相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证