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HAF2017-90L

更新时间： 2024-01-04 23:16:43

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
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描述
Silicon N Channel Power MOSFET Power Switching

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HAF2017-90L 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.14
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.053 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HAF2017-90L 数据手册

HAF2017(L), HAF2017(S)

Silicon N Channel Power MOS FET

Power Switching

REJ03G0234-0200Z

(Previous ADE-208-1637 (Z))

Rev.2.00

Apr.13.2004

Descriptions

This FET has the over temperature shutdown capability sensing the junction temperature. This FET has the built-in

over temperature shutdown circuit in the gate area. And this circuit operation to shutdown the gate voltage in case of

high junction temperature like applying over power consumption, over current etc..

Features

•

Logic level operation (4 to 6 V Gate drive)

High endurance capability against to the short circuit

Built-in the over temperature shutdown circuit

Latch type shutdown operation (Need 0 voltage recovery)

Outline

LDPAK(L)

LDPAK(S)-1

Gate Resistor

Tempe-

rature

Sensing

Circuit

Latch

Circuit

Gate

Shut-

down

Circuit

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Rev.2.00, Apr.13.2004, page 1 of 8

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