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HAF2027-90STL-E

更新时间： 2024-01-30 15:09:59
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瑞萨 - RENESAS 开关电源开关
页数 文件大小 规格书
9页 116K
描述
Silicon N Channel Power MOSFET Power Switching

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HAF2027-90STL-E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-83
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.34Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.015 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

HAF2027-90STL-E 数据手册

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HAF2027(L), HAF2027(S)  
Silicon N Channel Power MOS FET  
Power Switching  
REJ03G1674-0100  
Rev.1.00  
May 19, 2008  
Description  
This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in  
over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of  
high junction temperature like applying over power consumption, over current etc..  
Features  
•
•
•
•
Logic level operation (4 V Gate drive)  
Built-in the over temperature shut-down circuit  
High endurance capability against to the shut-down circuit  
Latch type shut down operation (need 0 voltage recovery)  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-A  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B  
(Package name: LDPAK (S)-(1) )  
(Package name: LDPAK (L) )  
1. Gate  
2. Drain  
(Flange)  
3. Source  
1
2
3
1
2
3
HAF2027(L)  
HAF2027(S)  
D
G
Gate Resistor  
Temperature  
Sensing  
Circuit  
Gate  
Shut-down  
Circuit  
Latch  
Circuit  
S
REJ03G1674-0100 Rev.1.00 May 19, 2008  
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HAF2027-90STR-E RENESAS

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