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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.36 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HAF2027 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOSFET Power Switching |
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| HAF2027-90L-E | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,50A I(D),TO-251VAR |
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| HAF2027-90STL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOSFET Power Switching |
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| HAF2027-90STR-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOSFET Power Switching |
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| HAF2027L | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOSFET Power Switching |
|
| HAF2027S | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOSFET Power Switching |
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| HAF70009 | INTERSIL |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET |
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| HAFBFS0050C4ACAAX3 | HONEYWELL |
获取价格 |
HAF SeriesâHigh Accuracy |
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| HAFBFS0050C4ACAAX5 | HONEYWELL |
获取价格 |
HAF SeriesâHigh Accuracy |
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| HAFBFS0050C5ACAAX3 | HONEYWELL |
获取价格 |
HAF SeriesâHigh Accuracy |
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