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H5MS1G62MFP-J3M

更新时间： 2024-02-13 11:04:42

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
62页	1651K
描述
DDR DRAM, 64MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-60

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H5MS1G62MFP-J3M 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA60,9X10,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.81	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
JESD-609代码：	e1	长度：	12 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	64MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA60,9X10,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.0004 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.09 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

1Gbit MOBILE DDR SDRAM based on 16M x 4Bank x16 I/O

Specification of

1Gb (64Mx16bit) Mobile DDR SDRAM

Memory Cell Array

- Organized as 4banks of 16,777,216 x16

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.2 / Jul. 2008

12 3 4 5 6 7...62

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5MS1G62MFP-K3M	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-60
H5MS1G62MFP-L3M	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 7ns, CMOS, PBGA60, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-60
H5MS2532JFR	HYNIX	获取价格	256Mb (8Mx32bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS2532JFR-E3M	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, FB
H5MS2532JFR-J3M	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, FB
H5MS2532JFR-L3M	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, FB
H5MS2562JFR-E3M	HYNIX	获取价格	256Mb (16Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS2562JFR-J3M	HYNIX	获取价格	256Mb (16Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS2562JFR-K3M	HYNIX	获取价格	256Mb (16Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS2562JFR-L3M	HYNIX	获取价格	256Mb (16Mx16bit) Mobile DDR SDRAM