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H5MS1G62AFR-E3M

更新时间： 2024-11-24 19:53:43

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H5MS1G62AFR-E3M 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	VFBGA,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
长度：	10 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	64MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

1Gbit MOBILE DDR SDRAM based on 4Bank x 16Mb x16 I/O

Specification of

1Gb (64Mx16bit) Mobile DDR SDRAM

Memory Cell Array

- Organized as 4banks of 16,777,216 x16

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.0 / May. 2009

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5MS1G62AFR-J3M	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
H5MS1G62MFP-E3M	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 7ns, CMOS, PBGA60, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-60
H5MS1G62MFP-J3M	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-60
H5MS1G62MFP-K3M	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-60
H5MS1G62MFP-L3M	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 7ns, CMOS, PBGA60, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-60
H5MS2532JFR	HYNIX	获取价格	256Mb (8Mx32bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS2532JFR-E3M	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, FB
H5MS2532JFR-J3M	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, FB
H5MS2532JFR-L3M	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, FB
H5MS2562JFR-E3M	HYNIX	获取价格	256Mb (16Mx16bit) Mobile DDR SDRAM