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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-223 | 包装说明： | SOT-223, 4 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.26 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FZT549TA | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| FZT558 | ZETEX |
获取价格 |
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| FZT558 | DIODES |
获取价格 |
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| FZT558TA | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
|
| FZT558TC | DIODES |
获取价格 |
0.2A, 400V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| FZT560 | ZETEX |
获取价格 |
PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| FZT560 | DIODES |
获取价格 |
SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| FZT560A | ETC |
获取价格 |
|
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| FZT560AD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| FZT560AL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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