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FZT589

更新时间： 2024-11-17 22:32:15
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捷特科 - ZETEX 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管局域网
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1页 47K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR

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FZT589 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.18
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A基于收集器的最大容量：15 pF
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.65 VBase Number Matches：1

FZT589 数据手册

  
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR  
FZT589  
ISSUE 2 - OCTOBER 1995  
PARTMARKING DETAILS -  
FZT589  
C
COMPLEMENTARY TYPES - FZT489  
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-50  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-30  
V
-5  
V
Peak Pulse Current  
-2  
A
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
-1  
-200  
A
IB  
mA  
W
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
2
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated)  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
-50  
-30  
-5  
IC=-100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
V
IC=-1mΑ  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
IE=-100µA  
Collector Cut-Off Current  
Collector Emitter Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
ICBO  
-100  
-100  
-100  
VCB=-30V  
VCES=-30V  
VEB=-4V  
nA  
nA  
nA  
V
ICES  
IEBO  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-0.35  
-0.65  
IC=-1A, IB=-100mA*  
IC=-2A, IB=-200mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-1.2  
V
V
IC=-1A, IB=-100mA*  
IC=-1A, VCE=-2V*  
IC=-1mA, VCE=-2V*  
IC=-500mA, VCE=-2V*  
IC=-1A, VCE=-2V*  
IC=-2A, VCE=-2V*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
-1.1  
Static Forward  
Current Transfer Ratio  
100  
100  
80  
300  
15  
40  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
100  
MHz  
pF  
IC=-100mA, VCE=-5V  
f=100MHz  
Cobo  
VCB=-10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
For typical characteristics graphs see FMMT549 datasheet  
3 - 194  
1

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