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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FZT591A
FZT591A PDF预览

FZT591A

更新时间： 2024-11-17 22:20:31
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捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管光电二极管局域网
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2页 415K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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FZT591A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SOT-223, 4 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.44Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：300JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

FZT591A 数据手册

 浏览型号FZT591A的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 PNP SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
FZT591A  
ISSUE 1 - DECEMBER 2001  
FEATURES  
C
Low equivalent on resistance RCE(sat) = 350m at 1A  
PART MARKING DETAIL -  
COMPLEMENTARY TYPE -  
FZT591A  
FZT491A  
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-40  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-40  
V
-5  
V
Peak Pulse Current  
-2  
A
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
-1  
-200  
A
IB  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
2
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX. UNI CONDITIONS.  
T
Collector-Base Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
-40  
-40  
-5  
V
V
V
IC=-100µA  
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
V(BR)EBO  
ICBO  
-100  
-100  
-100  
nA VCB=-30V  
nA VEB=-4V  
nA VCES=-30V  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
Collector-Emitter Cut-Off Current  
ICES  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
-0.2  
-0.35  
-0.5  
V
V
V
IC=-100mA,IB=-1mA*  
IC=-500mA,IB=-20mA*  
IC=-1A, IB=-100mA*  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Turn-on Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
-1.1  
-1.0  
V
V
IC=-1A, IB=-50mA*  
IC=-1A, VCE=-5V*  
Static Forward Current Transfer Ratio hFE  
300  
300  
250  
160  
30  
IC=-1mA,  
800  
IC=-100mA*,  
IC=-500mA*, VCE=-5V  
IC=-1A*,  
IC=-2A*,  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
150  
MHz IC=-50mA, VCE=-10V  
f=100MHz  
Cobo  
10  
pF  
VCB=-10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
1
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