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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> FZT558
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FZT558

更新时间： 2024-11-18 10:22:59
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管高压局域网
页数 文件大小 规格书
2页 113K
描述
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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FZT558 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：SOT-223包装说明：SOT-223, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.23
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

FZT558 数据手册

 浏览型号FZT558的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM  
POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
ISSUE 2 – DECEMBER 1995  
FZT558  
FEATURES  
*
*
*
400 Volt VCEO  
C
200mA continuous current  
Ptot= 2 Watt  
E
C
PARTMARKING DETAIL -  
FZT558  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VALUE  
-400  
-400  
-5  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
VCEO  
V
Emitter-Base Voltage  
VEBO  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
IC  
-200  
2
mA  
W
Ptot  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
Tj:Tstg  
= 25°C).  
-55 to +150  
°C  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
V(BR)CBO -400  
TYP.  
MAX. UNIT  
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V
V
V
IC=-100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
VBR(CEO)  
-400  
-5  
IC=-10mA*  
Emitter-Base Breakdown V(BR)EBO  
Voltage  
IE=-100µA  
Collector Cut-Off Current ICBO  
Collector Cut-Off Current ICES  
-100  
-100  
-100  
nA  
nA  
nA  
VCB=-320V  
VCE=-320V  
VEB=-4V  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-0.2  
-0.5  
V
V
IC=-20mA, IB=-2mA*  
IC=-50mA, IB=-6mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-0.9  
V
IC=-50mA, IB=-5mA*  
Base-Emitter  
Turn On Voltage  
-0.9  
V
IC=-50mA, VCE=-10V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
100  
100  
15  
IC=-1mA, VCE=-10V  
IC=-50mA, VCE=-10V*  
IC=-100mA, VCE=-10V*  
300  
5
Transition  
Frequency  
fT  
50  
MHz  
pF  
IC=-10mA, VCE=-20V  
f=20MHz  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
Cobo  
VCB=-20V, f=1MHz  
Switching times  
ton  
toff  
95  
1600  
ns  
ns  
IC=-50mA, VC=-100V  
IB1=5mA, IB2=-10mA  
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 192  
12

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