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FZ1600R17KF6B2

更新时间： 2024-02-19 20:46:34

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Hochstzulassige Werte / Maximum rated values

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FZ1600R17KF6B2 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.56	最大集电极电流 (IC)：	3200 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	COMPLEX
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	12500 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1200 ns	标称接通时间 (ton)：	300 ns
VCEsat-Max：	3.1 V	Base Number Matches：	1

FZ1600R17KF6B2 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FZ 1600 R 17 KF6 B2

Schaltverluste (typisch)

Switching losses (typical)

E_on= f (I_C) , E_off= f (I_C) , E_rec= f (I_C)

R_gon= R_goff=0,9Ω, V_CE= 900V, T_j= 125°C, V_GE= ± 15V

1800

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

Eoff

Eon

Erec

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

I_C[A]

Schaltverluste (typisch)

Switching losses (typical)

E_on= f (R_G) , E_off= f (R_G) , E_rec= f (R_G)

I_C= 1600A , V_CE= 900V , T_j= 125°C, V_GE= ± 15V

1600

Eoff

1400

Eon

Erec

1200

1000

800

600

400

200

R_G[Ω]

6(8)

FZ1600R17KF6B2

1...3 4 567 8

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与FZ1600R17KF6B2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZ1600R17KF6C	EUPEC	获取价格	IGBT-Modules
FZ1600R17KF6C_B2	INFINEON	获取价格	2600A, 1700V, N-CHANNEL IGBT, MODULE-7
FZ1600R17KF6CB2	ETC	获取价格	IGBT Module
FZ1600R17KF6CB2NOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FZ1600R33HE4	INFINEON	获取价格	200% PC
FZ16R12K4	ETC	获取价格	IGBT Module
FZ1800R12HE4_B9	INFINEON	获取价格	1200V IHMB 190mm single switch IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Control
FZ1800R12HE4B9HOSA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2735A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1800R12HE4B9NPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2735A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1800R12HP4_B9	INFINEON	获取价格	IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4