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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | MODULE-7 | 针数： | 7 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 2450 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | COMPLEX |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 10000 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1310 ns | 标称接通时间 (ton)： | 490 ns |
| VCEsat-Max： | 2.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FZ1600R12KL4CNOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 2450A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FZ1600R17HP4 | INFINEON |
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IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4 |
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| FZ1600R17HP4_B2 | INFINEON |
获取价格 |
IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4 |
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| FZ1600R17HP4_B21 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| FZ1600R17HP4B2BOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FZ1600R17HP4B2BOSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FZ1600R17KE3 | EUPEC |
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IGBT-inverter |
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| FZ1600R17KE3 | INFINEON |
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IHM 1700 V 1600 A 130mm 单开关 IGBT 模块，采用TRENCHS |
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| FZ1600R17KE3_B2 | EUPEC |
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IGBT-modules |
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| FZ1600R17KE3B2NOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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