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FTC41041-20JMLF

更新时间： 2024-09-18 02:47:31

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HIGH SPEED 256K x 16 (4 MEG) STATIC CMOS RAM

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FTC41041-20JMLF 数据手册

FTC41041

HIGH SPEED 256K x 16 (4 MEG)

STATIC CMOS RAM

POWER DISSIPATION CHARACTERISTICS VS. SPEED

Sym

Parameter

Temperature Range

Commercial

Industrial

-10

100

N/A

-12

-15

-20

Unit

I_CC

Dynamic Operating Current*

Military

110

100

*V_CC= 3.6V. Tested with outputs open. f = Max. Switching inputs are 0V and 3V. CE = V_IL, OE = V_IH.

AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS—READ CYCLE

(V_CC= 5.0V ± 10%, All Temperature Ranges) ⁽²⁾

-10

-12

-15

-20

Sym

Parameter

Read Cycle Time

Unit

Min

Max

Min

Max

Min

Max

Min

Max

t_RC

t_AA

Address Access Time

t_AC

Chip Enable Access Time

t_OH

t_LZ

Output Hold from Address Change

Chip Enable to Output in Low Z

Chip Disable to Output in High Z

Output Enable Low to Data Valid

Output Enable Low to Low Z

Output Enable High to High Z

Chip Enable to Power Up Time

Chip Disable to Power Down Time

Byte Enable to Data Valid

t_HZ

t_OE

t_OLZ

t_OHZ

t_PU

t_PD

t_BE

t_LZBE

t_HZBE

Byte Enable to Low Z

Byte Disable to High Z

2013

3 of 11

Rev C

1 234 5 6 7...11

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