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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220FN |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.34 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.031 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS50KMJ-3-A8 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
|
| FS50N-15 | XPPOWER |
获取价格 |
Analog Circuit, |
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| FS50P-24T | XPPOWER |
获取价格 |
Analog Circuit, |
|
| FS50P-28B | XPPOWER |
获取价格 |
Analog Circuit, |
|
| FS50P-28T | XPPOWER |
获取价格 |
Analog Circuit, |
|
| FS50R06KE3 | EUPEC |
获取价格 |
EconoPACK3 with fast trench/fieldstop IGBT and EmCon3 diode |
|
| FS50R06KE3 | INFINEON |
获取价格 |
Solder pin |
|
| FS50R06KF | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
|
| FS50R06KF2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
|
| FS50R06KF3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
|
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