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FS50KMJ-06F-A8

更新时间: 2024-11-20 07:00:11
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瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 104K
描述
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

FS50KMJ-06F-A8 技术参数

生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220FN, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.32Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):50 A
最大漏极电流 (ID):50 A最大漏源导通电阻:0.018 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FS50KMJ-06F-A8 数据手册

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FS50KMJ-06F  
High-Speed Switching Use  
Nch Power MOS FET  
REJ03G0255-0100  
Rev.1.00  
Aug.20.2004  
Features  
Drive voltage : 4 V  
VDSS : 60 V  
r
DS(ON) (max) : 14 m  
ID : 50 A  
Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns  
Outline  
TO-220FN  
2
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
1
1
2
3
3
Applications  
Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc.  
Maximum Ratings  
(Tc = 25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
Unit  
Conditions  
60  
V
V
VGS = 0 V  
±20  
VDS = 0 V  
50  
A
Drain current (Pulsed)  
Avalanche current (Pulsed)  
Source current  
IDM  
200  
A
IDA  
50  
50  
A
L = 10 µH  
IS  
A
Source current (Pulsed)  
Maximum power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
Isolation voltage  
ISM  
200  
A
PD  
25  
W
°C  
°C  
V
Tch  
Tstg  
Viso  
– 55 to +150  
– 55 to +150  
2000  
AC 1 minute,  
Terminal to case  
Mass  
2.0  
g
Typical value  
Rev.1.00, Aug.20.2004, page 1 of 6  

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