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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQPF9N25C
FQPF9N25C PDF预览

FQPF9N25C

更新时间： 2024-11-24 21:55:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 1136K
描述
250V N-Channel MOSFET

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FQPF9N25C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220F
包装说明：LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.16
雪崩能效等级（Eas）：285 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.8 A最大漏极电流 (ID)：8.8 A
最大漏源导通电阻：0.43 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：38 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：35.2 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQPF9N25C 数据手册

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QFET®  
FQP9N25C/FQPF9N25C  
250V N-Channel MOSFET  
General Description  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
Features  
•
•
•
•
•
•
8.8A, 250V, RDS(on) = 0.43Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 26.5 nC)  
Low Crss ( typical 45.5 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supplies, DC-AC converters for  
uninterrupted power supplies and motor controls.  
D
{
●
◀
▲
●
●
{
G
TO-220F  
TO-220  
G D  
S
G
D S  
FQPF Series  
FQP Series  
{
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
VDSS  
Parameter  
FQP9N25C  
FQPF9N25C  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
250  
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
Drain Current  
8.8  
5.6  
35.2  
8.8 *  
5.6 *  
35.2 *  
A
A
A
IDM  
(Note 1)  
Drain Current  
VGSS  
EAS  
IAR  
EAR  
dv/dt  
PD  
Gate-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
± 30  
285  
8.8  
7.4  
5.5  
V
mJ  
A
mJ  
V/ns  
W
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
74  
38  
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.59  
0.3  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
-55 to +150  
300  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
°C  
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQP9N25C  
FQPF9N25C  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
1.69  
0.5  
62.5  
3.29  
--  
62.5  
RθJS  
RθJA  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, March 2004  
1234567...10

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FQPF9N25C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQPF9N25 FAIRCHILD

类似代替

 250V N-Channel MOSFET
FQPF9N25C ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，250 V，8.8 A，430 mΩ，TO-22

与FQPF9N25C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQPF9N25CT ROCHESTER

获取价格

 		8.8A, 250V, 0.43ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN
FQPF9N25CT ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，250 V，8.8 A，430 mΩ，TO-22
FQPF9N25CYDTU ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，250 V，8.8 A，430 mΩ，TO-22
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 		300V N-Channel MOSFET
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 		500V N-Channel MOSFET
FQPF9N50C FAIRCHILD

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 		500V N-Channel MOSFET
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 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，9 A，800 mΩ，TO-220F
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 		500V N-Channel MOSFET

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