是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-220F |
包装说明: | TO-220F, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.26 |
雪崩能效等级(Eas): | 360 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (ID): | 5.3 A | 最大漏源导通电阻: | 0.73 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | NOT APPLICABLE |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 21 A | 认证状态: | COMMERCIAL |
表面贴装: | NO | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
FQPF9N90C | FAIRCHILD | 900V N-Channel MOSFET |
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FQPF9N90CT | FAIRCHILD | N-Channel QFET MOSFET 900 V, 8.0 A, 1.4 Ohm |
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FQPF9N90CT | ONSEMI | 功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,900 V,8 A,1.4 Ω,TO-220F |
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FQPF9P25 | FAIRCHILD | 250V P-Channel MOSFET |
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FQPF9P25 | ONSEMI | P 沟道,QFET® MOSFET,-250V,-6A,620mΩ |
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FQPF9P25YDTU | FAIRCHILD | 暂无描述 |
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