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FQPF9N50T

更新时间: 2024-02-17 03:28:04
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 723K
描述
500V N-Channel MOSFET

FQPF9N50T 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-220F
包装说明:TO-220F, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.26
雪崩能效等级(Eas):360 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (ID):5.3 A最大漏源导通电阻:0.73 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:NOT APPLICABLE
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):21 A认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FQPF9N50T 数据手册

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