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FQPF9N25

更新时间: 2024-11-08 22:26:39
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 723K
描述
250V N-Channel MOSFET

FQPF9N25 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220F包装说明:TO-220F, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.13
雪崩能效等级(Eas):165 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):6.7 A最大漏极电流 (ID):6.7 A
最大漏源导通电阻:0.42 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):26.8 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FQPF9N25 数据手册

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FQPF9N25 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQPF9N25C FAIRCHILD

类似代替

250V N-Channel MOSFET
FQPF9N25C ONSEMI

功能相似

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,250 V,8.8 A,430 mΩ,TO-22

与FQPF9N25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQPF9N25C FAIRCHILD

获取价格

250V N-Channel MOSFET
FQPF9N25C ONSEMI

获取价格

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,250 V,8.8 A,430 mΩ,TO-22
FQPF9N25CT ROCHESTER

获取价格

8.8A, 250V, 0.43ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN
FQPF9N25CT ONSEMI

获取价格

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,250 V,8.8 A,430 mΩ,TO-22
FQPF9N25CYDTU ONSEMI

获取价格

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,250 V,8.8 A,430 mΩ,TO-22
FQPF9N30 FAIRCHILD

获取价格

300V N-Channel MOSFET
FQPF9N50 FAIRCHILD

获取价格

500V N-Channel MOSFET
FQPF9N50C FAIRCHILD

获取价格

500V N-Channel MOSFET
FQPF9N50C ONSEMI

获取价格

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,500 V,9 A,800 mΩ,TO-220F
FQPF9N50CF FAIRCHILD

获取价格

500V N-Channel MOSFET