是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220F | 包装说明: | TO-220F, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.13 |
雪崩能效等级(Eas): | 165 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 250 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6.7 A | 最大漏极电流 (ID): | 6.7 A |
最大漏源导通电阻: | 0.42 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 45 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 26.8 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQPF9N25C | FAIRCHILD |
类似代替 |
250V N-Channel MOSFET | |
FQPF9N25C | ONSEMI |
功能相似 |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQPF9N25C | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET | |
FQPF9N25C | ONSEMI |
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FQPF9N25CT | ROCHESTER |
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8.8A, 250V, 0.43ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | |
FQPF9N25CT | ONSEMI |
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FQPF9N50 | FAIRCHILD |
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