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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220F | 包装说明： | TO-220F, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.13 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 165 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.42 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 26.8 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQPF9N25C | FAIRCHILD |
类似代替  |
250V N-Channel MOSFET |
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| FQPF9N25C | ONSEMI |
功能相似 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，250 V，8.8 A，430 mΩ，TO-22 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQPF9N25C | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF9N25C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，250 V，8.8 A，430 mΩ，TO-22 |
|
| FQPF9N25CT | ROCHESTER |
获取价格 |
8.8A, 250V, 0.43ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN |
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| FQPF9N25CT | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，250 V，8.8 A，430 mΩ，TO-22 |
|
| FQPF9N25CYDTU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，250 V，8.8 A，430 mΩ，TO-22 |
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| FQPF9N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF9N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQPF9N50C | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQPF9N50C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，9 A，800 mΩ，TO-220F |
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| FQPF9N50CF | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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