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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQPF9N50C
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FQPF9N50C

更新时间： 2024-02-09 22:27:17
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 846K
描述
500V N-Channel MOSFET

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FQPF9N50C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220F
包装说明：TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.26
雪崩能效等级（Eas）：360 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：5.3 A最大漏源导通电阻：0.73 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT APPLICABLE
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：21 A认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQPF9N50C 数据手册

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TM  
QFET  
FQP9N50C/FQPF9N50C  
500V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switched mode power supplies,  
active power factor correction, electronic lamp ballasts  
based on half bridge topology.  
•
•
•
•
•
•
9 A, 500V, R  
=
0.8 Ω @V = 10 V  
GS  
DS(on)  
Low gate charge ( typical 28 nC)  
Low Crss ( typical 24 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
●
◀
▲
●
●
G!  
TO-220F  
FQPF Series  
TO-220  
FQP Series  
G D  
S
G
D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP9N50C  
FQPF9N50C  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
500  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
9
9 *  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
5.4  
36  
5.4 *  
36 *  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
360  
9
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
13.5  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
135  
44  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.07  
0.35  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQP9N50C  
FQPF9N50C  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
0.93  
0.5  
2.86  
--  
θJC  
θCS  
62.5  
62.5  
θJA  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, June 2003  
1234567...10

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