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FQPF9N25CT

更新时间: 2024-11-09 19:57:07
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罗彻斯特 - ROCHESTER /
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13页 1958K
描述
8.8A, 250V, 0.43ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN

FQPF9N25CT 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.3
雪崩能效等级(Eas):285 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (ID):8.8 A最大漏源导通电阻:0.43 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:NOT APPLICABLE元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):35.2 A
认证状态:COMMERCIAL表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FQPF9N25CT 数据手册

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