是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-220F |
包装说明: | TO-220F, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 3.88 |
雪崩能效等级(Eas): | 410 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 250 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 15.6 A | 最大漏极电流 (ID): | 15.6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.27 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 43 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 62.4 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STD18N55M5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh⢠V P | |
STD6N95K5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protect | |
STF17NF25 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 250V - 0.14ヘ - 17A - TO-220/FP - DP |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQPF17N08 | FAIRCHILD |
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80V N-Channel MOSFET | |
FQPF17N08L | FAIRCHILD |
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80V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQPF17N40 | FAIRCHILD |
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400V N-Channel MOSFET | |
FQPF17N40T | FAIRCHILD |
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暂无描述 | |
FQPF17N40T | ONSEMI |
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N 沟道 QFET® MOSFET 400V, 9.5A, 270mΩ | |
FQPF17P06 | FAIRCHILD |
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60V P-Channel MOSFET | |
FQPF17P06 | ROCHESTER |
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12A, 60V, 0.12ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | |
FQPF17P10 | FAIRCHILD |
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100V P-Channel MOSFET | |
FQPF18N20V2 | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET | |
FQPF18N50V2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |