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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.66 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 56 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 38 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQPF17N40T | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| FQPF17N40T | ONSEMI |
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N 沟道 QFET® MOSFET 400V, 9.5A, 270mΩ |
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| FQPF17P06 | FAIRCHILD |
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60V P-Channel MOSFET |
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| FQPF17P06 | ROCHESTER |
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12A, 60V, 0.12ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN |
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| FQPF17P10 | FAIRCHILD |
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100V P-Channel MOSFET |
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| FQPF18N20V2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQPF18N50V2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQPF18N50V2SDTU | ROCHESTER |
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18A, 500V, 0.265ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN |
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| FQPF18N50V2SDTU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 0.265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQPF19N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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