5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> FQD13N06L
FQD13N06L PDF预览

FQD13N06L

更新时间： 2024-02-21 16:07:52
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 655K
描述
60V LOGIC N-Channel MOSFET

阅读下载

获取价格

FQD13N06L 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.67雪崩能效等级（Eas）：85 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.14 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQD13N06L 数据手册

 浏览型号FQD13N06L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FQD13N06L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQD13N06L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQD13N06L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQD13N06L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQD13N06L的Datasheet PDF文件第7页 
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Off Characteristics  
BV  
V
= 0 V, I = 250 µA  
GS D  
Drain-Source Breakdown Voltage  
60  
--  
--  
--  
--  
V
DSS  
∆BV  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
DSS  
J
I
= 250 µA, Referenced to 25°C  
0.05  
V/°C  
D
/
I
∆T  
V
V
V
V
= 60 V, V = 0 V  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
1
µA  
µA  
nA  
nA  
DSS  
DS  
GS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
= 48 V, T = 150°C  
10  
DS  
GS  
GS  
C
I
I
= 20 V, V = 0 V  
Gate-Body Leakage Current, Forward  
Gate-Body Leakage Current, Reverse  
100  
-100  
GSSF  
DS  
= -20 V, V = 0 V  
GSSR  
DS  
On Characteristics  
V
V
V
V
V
= V , I = 250 µA  
Gate Threshold Voltage  
1.0  
--  
2.5  
V
Ω
S
GS(th)  
DS  
GS  
D
= 10 V, I = 5.5 A  
R
Static Drain-Source  
On-Resistance  
--  
--  
0.092 0.115  
0.115 0.145  
GS  
GS  
D
DS(on)  
=5V, I =5.5 A  
D
g
= 25 V, I = 5.5 A  
(Note 4)  
Forward Transconductance  
--  
6
--  
FS  
DS  
D
Dynamic Characteristics  
C
C
C
Input Capacitance  
--  
--  
--  
270  
95  
350  
125  
23  
pF  
pF  
pF  
iss  
V
= 25 V, V = 0 V,  
GS  
DS  
Output Capacitance  
oss  
rss  
f = 1.0 MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
17  
Switching Characteristics  
t
t
t
t
Turn-On Delay Time  
Turn-On Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Turn-Off Fall Time  
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
8
25  
190  
50  
90  
6.4  
--  
ns  
ns  
d(on)  
V
= 30 V, I = 6.8 A,  
DD  
D
90  
20  
40  
4.8  
1.6  
2.7  
r
R
= 25 Ω  
G
ns  
d(off)  
f
(Note 4, 5)  
(Note 4, 5)  
ns  
Q
Q
Q
nC  
nC  
nC  
g
V
V
= 48 V, I = 13.6 A,  
DS  
D
= 5 V  
gs  
gd  
GS  
--  
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  
I
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
11  
44  
1.5  
--  
A
A
S
I
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current  
SM  
V
t
V
V
= 0 V, I = 11 A  
Drain-Source Diode Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
--  
V
SD  
GS  
S
= 0 V, I = 13.6 A,  
45  
45  
ns  
nC  
rr  
GS  
S
dI / dt = 100 A/µs  
(Note 4)  
Q
Reverse Recovery Charge  
--  
F
rr  
Notes:  
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature  
2. L = 870µH, I = 11A, V = 25V, R = 25 Ω, Starting T = 25°C  
AS  
DD  
G
J
3. I ≤ 13.6A, di/dt ≤ 300A/µs, V  
≤ BV Starting T = 25°C  
SD  
DD  
DSS, J  
4. Pulse Test : Pulse width ≤ 300µs, Duty cycle ≤ 2%  
5. Essentially independent of operating temperature  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1. May 2001  
1234567...9

下载PDF

与FQD13N06L相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FQD13N06LTF FAIRCHILD Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

获取价格
FQD13N06LTF ROCHESTER 11A, 60V, 0.145ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3

获取价格
FQD13N06LTF_NL FAIRCHILD Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

获取价格
FQD13N06LTM ROCHESTER 11A, 60V, 0.145ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3

获取价格
FQD13N06LTM FAIRCHILD Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

获取价格
FQD13N06LTM ONSEMI 功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，11 A，115 mΩ，DP

获取价格

与FQD13N06L相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证