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FMBA0656 PDF预览

FMBA0656

更新时间： 2024-11-10 22:30:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 31K
描述
NPN & PNP Complementary Dual Transistor SuperSOT- 6 Surface Mount Package

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FMBA0656 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.92
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN AND PNP
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

FMBA0656 数据手册

 浏览型号FMBA0656的Datasheet PDF文件第2页 
Discrete Power  
&
Signal Technologies  
FMBA0656  
Package: SuperSOT-6  
C2  
E1  
Device Marking: .003  
C1  
Note: The " . " (dot) signifies Pin 1  
Transistor 1 is NPN device,  
transistor 2 is PNP device.  
B2  
E2  
B1  
NPN & PNP Complementary Dual Transistor  
SuperSOT- 6 Surface Mount Package  
This device was designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA.  
Sourced from Process 33 (NPN) and Process 73 (PNP).  
Absolute Maximum Ratings  
TA  
= 25°C unless otherwise noted  
Value  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Units  
Collector-Emitter Voltage  
80  
V
Collector-Base Voltage  
80  
V
V
Emitter-Base Voltage  
4
500  
Collector Current (continuous)  
Power Dissipation @Ta = 25°C*  
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
mA  
W
0.7  
PD  
-55 to +150  
150  
°C  
TSTG  
TJ  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
180  
°C/W  
RqJA  
*Pd total, for both transistors. For each transistor, Pd = 350mW.  
Electrical Characteristics  
TA  
= 25°C unless otherwise noted  
Test Conditions  
Min  
Symbol  
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
Parameter  
Max  
Units  
Collector to Emitter Voltage  
Ic = 1.0 mA  
80  
V
Collector to Base Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Ic = 100 uA  
Ie = 100 uA  
80  
4
V
V
Ó 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
Page 1 of 2  
fmba0656.lwpPr33&73(Y3)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMBA0656D87Z FAIRCHILD

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