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FMBA06D84Z

更新时间： 2024-01-28 23:36:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 57K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SUPERSOT-6

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FMBA06D84Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.79Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

FMBA06D84Z 数据手册

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FMBA06  
C2  
E1  
C1  
B2  
E2  
B1  
pin #1  
SuperSOT -6  
Mark: .1G  
Dot denotes pin #1  
NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier  
This device is designed for general purpose amplifier applications at collector  
currents to 300 mA. Sourced from Process 33.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
80  
80  
V
V
4.0  
V
4
Collector Current - Continuous  
500  
mA  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
FMBA06  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
700  
5.6  
180  
mW  
mW/°C  
°C/W  
RθJA  
1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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