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FMBA14 PDF预览

FMBA14

更新时间： 2024-02-09 06:52:16
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管光电二极管放大器PC
页数 文件大小 规格书
3页 51K
描述
NPN Multi-Chip Darlington Transistor

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FMBA14 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SUPERSOT-6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.54Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1.2 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：2 BANKS, DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：20000
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

FMBA14 数据手册

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Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
FMBA14  
C2  
E1  
C1  
B2  
E2  
B1  
pin #1  
SuperSOT -6  
Mark: .1N  
NPN Multi-Chip Darlington Transistor  
This device is designed for applications requiring extremely high current  
gain at collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 05.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCES  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
30  
V
V
V
A
30  
10  
Collector Current - Continuous  
1.2  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
FMBA14  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
700  
5.6  
180  
mW  
mW/°C  
°C/W  
RθJA  
1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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