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FMBA56S62Z

更新时间： 2024-02-02 19:26:14

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	50K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SUPERSOT-6

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FMBA56S62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.55	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

FMBA56S62Z 数据手册

FMBA56

pin #1

SuperSOT -6

Mark: .2G

Dot denotes pin #1

PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier

This device is designed for general purpose amplifier applications at collector

currents to 300 mA. Sourced from Process 73.

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CES

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

4.0

Collector Current - Continuous

500

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

3) All voltages (V) and currents (A) are negative polarity for PNP transistors.

Thermal Characteristics

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

FMBA56

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

700

5.6

180

mW/°C

°C/W

R_θJA

1998 Fairchild Semiconductor Corporation

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FMBB4148	FCI	获取价格	200 mW EPITAXIAL PLANAR DIODES
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