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FMBBAS20

更新时间： 2024-01-05 23:35:09

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戈采 - FCI		二极管局域网
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1页	57K
描述
200 mW EPITAXIAL PLANAR DIODES

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FMBBAS20 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	最大非重复峰值正向电流：	2.5 A
元件数量：	1	最高工作温度：	85 °C
最大输出电流：	0.625 A	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

FMBBAS20 数据手册

Data Sheet

200 mW EPITAXIAL

PLANAR DIODES

Mechanical Dimensions

Description

.110

.060

Pin 3

.016

Pin 1 NC

.037

.115

.037

Pin 2

.043

.016

.004

Features

n INDUSTRY STANDARD SOT-23

PACKAGE

n PLANAR PROCESS

n 200 mW POWER DISSIPATION

n MEETS UL SPECIFICATION 94V-0

Electrical Characteristics @ 25^OC.

FMBBAS19...21

Units

Maximum Ratings

FMBBAS19

FMBBAS20

FMBBAS21

Peak Reverse Voltage...V_RM

RMS Reverse Voltage...V_R(rms)

Volts

120

100

200

150

250

200

Average Forward Rectified Current...I_O

............................................. 625 ............................................... mAmps

............................................. 2.5 ...............................................

Amps

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current...I_FSM

............................................. 1.0 ...............................................

Volts

Forward Voltage...V_F

@ I_F= 100 mA

............................................. 0.1 ...............................................

DC Reverse Current...I_R@ V_R= 70V

Power Dissipation...P_D

µAmps

............................................. 200 ...............................................

............................................. 50 ...............................................

Reverse Recovery Time...t_RR

......................................... -25 to 85 ..........................................

Operating Temperature Range...T_J

Storage Temperature Range...T_STRG

°C

......................................... -65 to 150 ..........................................

°C

Device Under Test

.01 uF

Output

0.1 I_R

P_VV= 100nS

Trr

I_F

5K Ohms

I_R

50 Ohms

R_G= 50 Ohms

Page 10-25

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