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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FJNS4213R
FJNS4213R PDF预览

FJNS4213R

更新时间： 2024-09-19 22:32:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 29K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor

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FJNS4213R 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92S
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：68JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

FJNS4213R 数据手册

 浏览型号FJNS4213R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FJNS4213R的Datasheet PDF文件第3页 
FJNS4213R  
Switching Application (Bias Resistor Built In)  
•
•
•
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit  
Built in bias Resistor (R =2.2KΩ, R =47KΩ)  
1
2
Complement to FJNS3213R  
TO-92S  
1
1.Emitter 2. Collector 3. Base  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Equivalent Circuit  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Value  
Units  
V
-50  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
-50  
V
R1  
-10  
V
B
I
-100  
300  
mA  
mW  
°C  
C
R2  
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
E
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-50  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I = -10µA, I =0  
CBO  
CEO  
C
E
BV  
I = -100µA, I =0  
-50  
V
C
B
I
V
= -40V, I =0  
-0.1  
-0.3  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
= -5V, I = -5mA  
68  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I = -10mA, I = -0.5mA  
V
CE  
C
B
f
V
= -10V, I =-5mA  
200  
5.5  
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
V
= -10V, I =0  
E
ob  
CB  
f=1.0MHz  
V (off)  
Input Off Voltage  
Input On Voltage  
Input Resistor  
V
V
= -5V, I = -100µA  
-0.5  
V
V
I
CE  
CE  
C
V (on)  
= -0.2V, I = -10mA  
-1.1  
2.9  
I
C
R
1.5  
2.2  
KΩ  
1
R /R  
Resistor Ratio  
0.042  
0.047  
0.052  
1
2
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, August 2002  
123

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与FJNS4213R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FJNS4213RTA FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S,
FJNS4214R FAIRCHILD

获取价格

 		PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJNS4214RBU FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S,
FJNS4214RTA FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S,
FJNS7565 FAIRCHILD

获取价格

 		For Output Amplifier of Electronic Flash Unit
FJNS7565BU FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LE
FJNS7565TA FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LE
FJP.0B.307.YLAD52Z ETC

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 		CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP
FJP13007 FAIRCHILD

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 		High Voltage Switch Mode Application
FJP13007_08 FAIRCHILD

获取价格

 		High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor

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