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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FJNS7565BU
FJNS7565BU PDF预览

FJNS7565BU

更新时间： 2024-09-20 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管闪光灯电子
页数 文件大小 规格书
4页 93K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LEAD FREE, TO-92MINI, 3 PIN

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FJNS7565BU 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：10 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：150JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FJNS7565BU 数据手册

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FJNS7565  
For Output Amplifier of Electronic Flash Unit  
•
•
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
High Performance at Low Supply Voltage  
TO-92Mini  
1.Emitter 2. Collector 3. Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
15  
CBO  
10  
V
CEO  
EBO  
7
5
V
I
A
C
P
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
0.55  
W
C
T
T
150  
°C  
°C  
J
-55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
15  
10  
7
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I
I
I
= 10µA, I = 0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
C
E
BV  
BV  
= 1mA, I = 0  
B
= 10µA, I = 0  
V
C
I
I
V
V
= 15V, I = 0  
100  
100  
800  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
= 5V, I = 0  
C
h
h
h
V
V
V
= 2V, I = 0.5A  
450  
300  
150  
FE1  
FE2  
FE3  
CE  
CE  
CE  
C
= 2V, I = 2A  
C
= 2V, I = 5A  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Collector Output Capacitance  
I
I
= 3A, I = 60mA  
0.45  
1.5  
V
V
CE  
C
C
B
= 3A, I = 60mA  
BE  
B
C
V
= 20V, I = 0, f = 1MHz  
20  
pF  
ob  
CB  
E
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, May 2003  
1234

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与FJNS7565BU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FJNS7565TA FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LE
FJP.0B.307.YLAD52Z ETC

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