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FGP50D-HE3

更新时间： 2024-09-14 14:50:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		功效二极管
页数	文件大小	规格书
4页	302K
描述
DIODE 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, GP20, 2 PIN, Rectifier Diode

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FGP50D-HE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.7	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, HIGH RELIABILITY
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.95 V
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	135 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向恢复时间：	0.035 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
Base Number Matches：	1

FGP50D-HE3 数据手册

FGP50B thru FGP50D

New Product

Vishay General Semiconductor

Glass Passivated Ultrafast Rectifier

Major Ratings and Characteristics

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

t_rr

5.0 A

100 V to 200 V

135 A

35 ns

V_F

0.95 V

I_R

5.0 µA

*Glass Encapsulation

GP20

T_jmax.

175 °C

technique is covered by

Patent No. 3,996,602,

brazed-lead assembly to

Patent No. 3,930,306

Features

Mechanical Data

• Cavity-free glass-passivated junction

• Ultrafast reverse recovery time

• Low forward voltage drop

Case: GP20, molded epoxy over glass body

Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high

reliability grade (AEC Q101 qualified)

• Low leakage current

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Meets environmental standard MIL-S-19500

• Solder Dip 260 °C, 40 seconds

Polarity: Color band denotes cathode end

Typical Applications

For use in high frequency rectification and freewheel-

ing application in switching mode converters and

inverters for consumer, computer, automotive and

Telecommunication

Maximum Ratings

T_A= 25 °C unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_RRM

FGP50B

100

FGP50C

150

FGP50D

200

Unit

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RMS

V_DC

105

150

5.0

140

200

Maximum DC blocking voltage

100

Maximum average forward rectified current

0.375" (9.5 mm) lead length (Fig. 1)

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

135

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 65 to + 175

°C

Document Number 88879

10-Aug-05

www.vishay.com

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与FGP50D-HE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FGP50DHE3/54	VISHAY	获取价格	DIODE 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GP20, 2 PIN, Rectifie
FGP50D-HE3/54	VISHAY	获取价格	DIODE 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GP20, 2 PIN, Rectifie
FGP50DHE3/73	VISHAY	获取价格	DIODE 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GP20, 2 PIN, Rectifie
FGP50D-HE3/73	VISHAY	获取价格	DIODE 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GP20, 2 PIN, Rectifie
FGP50DHE3-54	VISHAY	获取价格	Glass Passivated Ultrafast Rectifier
FGP50DHE3-73	VISHAY	获取价格	Glass Passivated Ultrafast Rectifier
FGP5N60LS	FAIRCHILD	获取价格	600V, 5A Field Stop IGBT
FGP5N60LS	ONSEMI	获取价格	IGBT，600V，5A，场截止
FGP5N60UFD	FAIRCHILD	获取价格	600V, 5A Field Stop IGBT
FGP5N60UFDTU	FAIRCHILD	获取价格	600V, 5A Field Stop IGBT

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