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FF400R17KF6C_B2

更新时间： 2024-11-25 14:50:19

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英飞凌 - INFINEON		栅
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9页	107K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 1700V V(BR)CES

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FF400R17KF6C_B2 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.91
最大集电极电流 (IC)：	400 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
门极-发射极最大电压：	20 V	元件数量：	1
最高工作温度：	125 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散 (Abs)：	3300 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	VCEsat-Max：	3.1 V
Base Number Matches：	1

FF400R17KF6C_B2 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FF 400 R 17 KF6C B2

1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2. Generation und softer EmCon Diode

1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft EmCon Diode

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

V_CES

1700

T_C= 80 °C

I_C,nom.

I_C

400

650

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

T_C= 25 °C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_P= 1 ms, T_C= 80°C

T_C=25°C, Transistor

I_CRM

P_tot

V_GES

I_F

800

3,3

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

+/- 20V

400

800

Dauergleichstrom

DC forward current

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

t_P= 1 ms

I_FRM

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

kA²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

Charakteristische Werte / Characteristic values

min.

typ. max.

Transistor / Transistor

I_C= 400A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

V_{CE sat}

2,6

3,1

3,6

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 400A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 30mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE(th)

4,5

5,5

4,8

6,5

Gateladung

gate charge

V_GE= -15V ... +15V

Q_G

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

I_CES

1,3

V_CE= 1700V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

V_CE= 1700V, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

0,01

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

400

prepared by: Alfons Wiesenthal

date of publication: 13.07.2000

revision: 2 (Series)

approved by: Chr. Lübke; 11.08.2000

1(8)

FF400R17KF6CB2

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