Datasheet > FF400R33KF2C

FF400R33KF2C

更新时间： 2024-11-25 12:26:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
8页	451K
描述
Technische Information

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FF400R33KF2C 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀtechnicalꢀinformation

FF400R33KF2C

IGBT-Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT-inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀdata

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

T_vj= -25°C

3300

V_CES

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_vj= 150°C

T_C= 25°C, T_vj= 150°C

I_{C nom}

I_C

400

660

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

800

4,80

+/-20

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_vj= 150°C

ꢀ kW

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 400 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

3,40 4,25

4,30 5,00

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 40,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V, V_CE= 1800V

T_vj= 25°C

4,2

5,1

8,00

1,3

50,0

2,70

ꢀ

6,0

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 3300 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,7 Ω, C_GE= 68,0 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,28

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,7 Ω, C_GE= 68,0 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,18

0,20

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,6 Ω, C_GE= 68,0 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,55

1,70

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,6 Ω, C_GE= 68,0 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,20

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 400 A, V_CE= 1800 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,7 Ω, C_GE= 68,0 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

470

730

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 400 A, V_CE= 1800 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,6 Ω, C_GE= 68,0 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

430

510

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 2500 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

2000

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

pro IGBT / per IGBT

R_thJC

R_thCH

ꢀ

26,0 K/kW

K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper pro IGBT / per IGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

18,0

_Paste= 1 W/(m·K)

λ_grease= 1 W/(m·K)

preparedꢀby:ꢀSB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-02-11

revision:ꢀ2.1

approvedꢀby:ꢀDTS

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与FF400R33KF2C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF400R33KF2CNOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 660A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10
FF-401	3M	获取价格	3Mâ¢ Reusable Respirators
FF401R17KF6C_B2	INFINEON	获取价格	IGBT
FF401R17KF6CB2V	ETC	获取价格	IGBT Module
FF-402	3M	获取价格	3Mâ¢ Reusable Respirators
FF-403	3M	获取价格	3Mâ¢ Reusable Respirators
FF40A	SEMTECH	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 4000V V(RRM),
FF-45	ETC	获取价格	Analog Miscellaneous
FF450	ETC	获取价格	Fuse
FF450R06ME3	INFINEON	获取价格	EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC

与FF400R33KF2C相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

40
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

32
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

60
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

56

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FF400R33KF2C

FF400R33KF2C 数据手册

与FF400R33KF2C相关器件

与FF400R33KF2C相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FF400R33KF2C

FF400R33KF2C 数据手册

与FF400R33KF2C相关器件

与FF400R33KF2C相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？