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FF401R17KF6C_B2

更新时间： 2024-11-25 19:50:23

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
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IGBT

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FF401R17KF6C_B2 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.6	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

FF401R17KF6C_B2 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FF401R17KF6C_B2

1700VꢀIGBTꢀModulꢀmitꢀlowꢀlossꢀIGBTꢀderꢀ2.tenꢀGenerationꢀundꢀsofterꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀ

1700VꢀIGBTꢀModuleꢀwithꢀlowꢀlossꢀIGBTꢀofꢀ2ndꢀgenerationꢀandꢀsoftꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀ

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1700

V_CES

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

400

650

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

800

3,15

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

ꢀ kW

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

V_GES

+/- 20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 400 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,60 3,10

3,10 3,60

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 30,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

4,5

5,5

4,80

2,6

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1700 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

27,0

1,30

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

400 nA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,40

µs

R_Gon= 1,8 Ω

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,15

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,10

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,10

0,11

µs

R_Goff= 3,6 Ω

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 400 A, V_CE= 900 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

190

150

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 400 A, V_CE= 900 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

R_Goff= 3,6 Ω

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 1000 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

1600

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

40,0 K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

64,0

K/kW

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

125

°C

preparedꢀby:ꢀWB

approvedꢀby:ꢀJM

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-09-25

revision:ꢀ2.2

12 3 4 5 6 7 8

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