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FF400R33KF2CNOSA1

更新时间： 2024-11-25 14:50:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	406K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 660A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10

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FF400R33KF2CNOSA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10	针数：	10
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	26 weeks	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	660 A	集电极-发射极最大电压：	3300 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X10	元件数量：	2
端子数量：	10	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	4800 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1900 ns
标称接通时间 (ton)：	480 ns	VCEsat-Max：	4.25 V
Base Number Matches：	1

FF400R33KF2CNOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF400R33KF2C

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

T_vj= -25°C

3300

V_CES

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

400

660

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

800

4,80

+/-20

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ kW

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 400 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

3,40 4,25

4,30 5,00

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 40,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V, V_CE= 1800V

T_vj= 25°C

4,2

5,1

8,00

1,3

50,0

2,70

ꢀ

6,0

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 3300 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,7 Ω, C_GE= 68,0 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,28

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,7 Ω, C_GE= 68,0 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,18

0,20

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,6 Ω, C_GE= 68,0 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,55

1,70

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,6 Ω, C_GE= 68,0 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,20

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 400 A, V_CE= 1800 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,7 Ω, C_GE= 68,0 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

470

730

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 400 A, V_CE= 1800 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,6 Ω, C_GE= 68,0 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

430

510

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 2500 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

2000

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

26,0 K/kW

K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

18,0

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀSB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

approvedꢀby:ꢀDTS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF-401	3M	获取价格	3Mâ¢ Reusable Respirators
FF401R17KF6C_B2	INFINEON	获取价格	IGBT
FF401R17KF6CB2V	ETC	获取价格	IGBT Module
FF-402	3M	获取价格	3Mâ¢ Reusable Respirators
FF-403	3M	获取价格	3Mâ¢ Reusable Respirators
FF40A	SEMTECH	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 4000V V(RRM),
FF-45	ETC	获取价格	Analog Miscellaneous
FF450	ETC	获取价格	Fuse
FF450R06ME3	INFINEON	获取价格	EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC
FF450R06ME3BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 550A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11

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