Datasheet > FF300R06KE3B2HOSA1

FF300R06KE3B2HOSA1

更新时间： 2024-11-30 19:55:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
8页	427K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FF300R06KE3B2HOSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	14 weeks	风险等级：	5.6
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

FF300R06KE3B2HOSA1 数据手册

浏览型号FF300R06KE3B2HOSA1的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号FF300R06KE3B2HOSA1的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号FF300R06KE3B2HOSA1的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号FF300R06KE3B2HOSA1的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号FF300R06KE3B2HOSA1的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号FF300R06KE3B2HOSA1的Datasheet PDF文件第7页

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF300R06KE3_B2

62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstopꢀIGBT3,ꢀEmitterꢀControlled3ꢀDiodeꢀundꢀM5ꢀLastanschlüssenꢀ

62mmꢀC-Serienꢀmoduleꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT3,ꢀEmitterꢀControlled3ꢀdiodeꢀandꢀM5ꢀpowerꢀterminalsꢀ

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

600

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 70°C, T_{vj max}= 175°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175°C

I_{C nom}

I_C

300

400

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

600

940

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 300 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,45 1,90

1,60

1,70

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 12,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

4,9

5,8

3,20

1,0

19,0

0,57

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 600 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,11

0,12

0,13

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,05

0,06

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,49

0,52

0,53

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,05

0,07

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 300 A, V_CE= 300 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_on

E_off

3,10

3,30

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 300 A, V_CE= 300 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

12,0

12,5

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 360 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

t_P≤ 8 µs, T_vj= 25°C

t_P≤ 6 µs, T_vj= 150°C

2100

1500

I_SC

ꢀ

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,03

ꢀ

0,16 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

150

°C

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.0

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与FF300R06KE3B2HOSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF300R06KE3HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R06KF	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 300A I(C) \| MODULE-S
FF300R06KF3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 300A I(C) \| M:HL093HW048
FF300R06KL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 300A I(C) \| M:HL093HW048
FF300R06KL2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 600V V(BR)CES \| 300A I(C)
FF300R06ME3	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10
FF300R07KE4	INFINEON	获取价格	62mm C-Series module with trench/fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled Diode
FF300R07KE4HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 365A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R07ME4	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FF300R07ME4_B11	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor

与FF300R06KE3B2HOSA1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

52
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

41
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

69
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

65

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FF300R06KE3B2HOSA1

FF300R06KE3B2HOSA1 技术参数

FF300R06KE3B2HOSA1 数据手册

与FF300R06KE3B2HOSA1相关器件

与FF300R06KE3B2HOSA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FF300R06KE3B2HOSA1

FF300R06KE3B2HOSA1 技术参数

FF300R06KE3B2HOSA1 数据手册

与FF300R06KE3B2HOSA1相关器件

与FF300R06KE3B2HOSA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？